先进材料平台主要从事AlGaN、Ga2O3、金刚石等宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件研发，近年来承担国家/省/市重大/重要科研项目20余项，致力于推动宽禁带/超宽禁带半导体领域的行业技术发展，平台现有省市级人才和来自海内外知名高校的优秀人才多名，在相关领域取得了具有影响力的研究成果。
为满足平台发展的需要，现面向海内外引进青年科研人才，欢迎加盟！
陈志涛，所长，教授级高级工程师，兼任中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会秘书长和广东省半导体光源产业协会会长，长期从事宽禁带半导体材料与器件技术开发，在材料生长、器件工艺、测试分析、器件应用等方面取得有一定意义的创新成果，获授权发明专利100余件，发表论文近100篇，部分成果获得实际应用。
何晨光，平台负责人，副研究员，广东省科学院“百名青年人才”计划入选者，广东省科学院优秀青年科技工作者，长期从事宽禁带半导体材料与器件研发，近年来主持国家重点研发计划课题/子课题、国家自然科学基金青年项目、广东省自然科学基金青年提升/面上项目等科研项目10项，获得授权发明专利32件，发表SCI论文48篇。
1.岗位职责：负责子方向/子课题，带领团队成员开展高质量研究，申请相关领域项目，发表高质量论文。
2.应聘条件：应聘需满足广东省科学院C类高层次人才、D类高层次人才、优秀博士后相关条件。
（一）“百人计划”C 类人才条件：
具有海外知名高校、科研院所、企业拥有正式科研职位，或国内一流高校、科研院所具有副高级以上职称，或国内外知名企业技术负责人以上职务，或相当于省杰出青年基金获得者、省级人才计划（工程）项目入选者等方面的优秀人才。原则上年龄不超过35 周岁，且近五年科研成果符合下列条件之一的：
①在《Science》、《Nature》、《CELL》国际顶尖期刊上发表论文1 篇及以上；
②作为第一作者或通讯作者在中国科学院一区或者在本专业领域顶级期刊发表6 篇及以上学术论文；
③作为主要执笔人获得省级以上领导肯定性批示不少于3项，或发布省级规划等咨询报告3 篇及以上；
④近五年以第一作者或通讯作者所发表的学术论文有2 篇及以上入选ESI 高被引论文；
⑤其他学术水平与上述条件相当的人才。
（二）“百人计划”D 类人才条件：
毕业于海内外知名高校、科研院所的优秀博士，或具有在海内外知名高校、科研院所学习经历并完成至少一期博士后科研工作的人员，或工程化领域紧缺人才，或在海内外知名企业担任部门主管及以上职务且连续工作3 年以上的人员。原则上年龄不超过35 周岁，且近五年科研成果符合下列条件之一的：
①近五年内作为第一作者或通讯作者在中科院二区以上或在本专业领域顶级期刊发表论文不少于5 篇（其中中科院一区论文不少于2 篇）；
②作为主要发明人获得授权发明专利5 件以上。
（三）优秀博士后人才条件：
①在国内外知名大学获得半导体、物理、光电相关专业博士学位，年龄不超过32周岁；博士毕业不超过3年，之前无博士后经历者优先考虑；
②在半导体领域主流期刊发表第一作者研究论文至少一篇，具有较好的发展潜力；
③具有半导体器件工艺的研究背景者优先考虑；
④具有较强的工作责任心、良好的沟通能力和团队合作精神；
⑤具备较强的中英文写作和口语能力。
提供有竞争力的薪酬待遇，可参考《广东省科学院半导体研究所招聘公告》https://www.gdisit.com/xxgk/zpgg_1833/t52061.html
请将个人简历以“姓名+应聘岗位+应聘部门（先进材料平台）”为邮件标题，发送至邮箱：renli@gdisit.com。
官网：https://www.gdisit.com
联系地址：广东省广州市天河区长兴路363 号
联系人：苏老师
电 话：020-87716080
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